图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 包装 | 3TO-252 |
| 渠道类型 | P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 最大连续漏极电流 | 8.83 A |
| RDS -于 | 300@6.2V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 16 ns |
| 典型上升时间 | 46 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 典型下降时间 | 14 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 60 V |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 封装/外壳 | TO-252-3 |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | - 4 V |
| 宽度 | 6.22 mm |
| Qg - Gate Charge | - 13 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| 下降时间 | 14 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | 1 P-Channel |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 2.5 S |
| Id - Continuous Drain Current | - 8.83 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 230 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 系列 | XPD08P06 |
| 身高 | 2.3 mm |
| 封装 | Reel |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 42 W |
| 上升时间 | 46 ns |
| 技术 | Si |
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